上海鉑鱗貿(mào)易有限公司

RE DIXON雙站反應(yīng)器
   RE DIXON位于出來的內(nèi)華達(dá)州卡森城，離Tahoe湖一分鐘。RE DIXON公司目前房子 3 萬平方英尺的設(shè)施，以處理設(shè)備、 零部件和服務(wù)。
RE DIXON所提供的服務(wù)：
* 電解拋光* 軌道焊接* 工程 & 設(shè)計
* 合同制造* 原型* 現(xiàn)場服務(wù)* 創(chuàng)業(yè)公司* 關(guān)閉* 預(yù)定下午* 系統(tǒng)故障排除和修復(fù)* 工廠再制造* 氣面板維修* 完成反應(yīng)器再制造* 射頻發(fā)生器* 電梯環(huán)和基板* 電子控制小組升級* 鐘罩修理* 射頻線圈的重建* 切換開關(guān)將重建* 雙子座 I、 II、 III 將重建* 金反射器和修復(fù)* 技術(shù)支持。RIDGID彎管器

RE DIXON公司主要產(chǎn)品描述：
RE DIXON  Rexon 8 ® 反應(yīng)器室
Rexon 8 ® 是已完成的*復(fù)雜過程的外延反應(yīng)器室放大的版本、 重?fù)诫s襯底、 原位多摻雜濃度和控制的摻雜梯度層的尖銳過渡寬度增長。Rexon 8 ® 反應(yīng)器室被設(shè)計用于所有類型的半導(dǎo)體器件的制造。設(shè)計要滿足的要求的超大規(guī)模集成電路、 CMOS、 離散、 數(shù)字、 線性模擬與聚介電分離設(shè)備。立式氣體入口，旋轉(zhuǎn)碳化硅涂層熱感，加上**的鐘形配置和可調(diào)射頻線圈的設(shè)計，給出了處理的晶片負(fù)載優(yōu)良均勻性的厚度和電阻率。處理室和水暖設(shè)計有已制造的*高標(biāo)準(zhǔn)，以去除金屬污染物。水和空氣冷卻黃金反射罩反射回的硅晶片的正面能量。這減少了通過晶圓片的溫度差異所引起的應(yīng)力。Rexon ®反應(yīng)堆已被用于生長硅單晶從亞微米至厚達(dá) 250 微米。Rexon 8 ® 并不局限于一個或兩個硅源，但同樣執(zhí)行好上硅烷，dichlorsilane。為那些工廠和鑄造廠使用多個硅片直徑可能改變這個反應(yīng)堆以容納任何從 150 毫米到 300 毫米的晶圓在幾秒鐘內(nèi)。
 
RE DIXON雙站反應(yīng)器
Rexon ® 雙站設(shè)計允許自動開關(guān)在的一個等待的過程分庭的射頻發(fā)生器。*後過程氣體面板提供每個反應(yīng)堆。這種設(shè)計優(yōu)化的處理時間和電源供應(yīng)使用同一個單一的工具安裝。存款時間小于熱起來，冷靜下來或單*的進(jìn)程程序在每個分庭上正在運(yùn)行時，這種設(shè)計是特別有用的。也可以通過放機(jī)與*二個射頻電源作為一個高使用這個系統(tǒng)。
 
RE DIXON單站反應(yīng)器
Rexon ® 單站具有一個進(jìn)程室用專用的電源。存款時間是多長于的組合加熱和降溫或需要通過放高并不是主要的問題時，應(yīng)該使用這種設(shè)計。該單一反應(yīng)器內(nèi)還用于成長厚厚的多晶硅層厚度超過 25 密耳。進(jìn)程已成長這聚層在每分鐘 3-8 微米。弓通常是少于 3 密耳。細(xì)晶粒結(jié)構(gòu)與沒有空隙。Rexon ® 反應(yīng)器具有巨大的門，很簡單的操作訪問。這些折疊門都已鎖定與拉手和軸襯，軸承上旋轉(zhuǎn)。這種組合可以減少顆粒產(chǎn)生和 foRexon8 倒戈清洗和維護(hù)也允許方便地訪問。REIKOTRONIC工業(yè)
 
RE DIXON氣體流量控制系統(tǒng)
Rexon ® 氣體叢林被為了接受所有主要制造商的自動質(zhì)量流量控制器。布局允許容易添加和刪除的組件。過程油管有電拋光的內(nèi)部，惰性氣體與 VCR 連接使用瓦軸配件焊接。外部然后是電拋光。工藝氣體系統(tǒng)泄漏率小于 1 × 10-8 他 STD cc/秒 Rexon ® 標(biāo)配可調(diào)線圈清除和注入反應(yīng)器的底部在單*的進(jìn)程摻雜劑行的測試。每個 Rexon ® 標(biāo)配，有兩個硅和兩個摻雜源。射頻加熱 Rexon ® 射頻線圈設(shè)計用于與 RE DIXON MK 系列射頻發(fā)生器。建立了 200 千瓦型是在 75 到 100 千赫范圍內(nèi)操作。這可以確保足夠的權(quán)力交付使用傳輸線路達(dá) 50 英尺的長度同時保持足夠高，以防止熱感顫振的頻率。
 
RE DIXON  Rexon2 ® 反應(yīng)器室
已執(zhí)行的*復(fù)雜的外延過程證明電抗器室和聚硅生長。硅對藍(lán)寶石、 選擇性外延生長，重?fù)诫s襯底、 原位多摻雜濃度和控制的摻雜梯度層的尖銳過渡寬度增長。Rexon2 ® 反應(yīng)器曾經(jīng)在所有類型的半導(dǎo)體器件的制造中。不管您的要求是超大規(guī)模集成電路、 躁郁、 CMOS、 離散、 數(shù)字、線性模擬信號或聚為介質(zhì)隔離設(shè)備，我們做到了。立式氣體入口，旋轉(zhuǎn)碳化硅涂層熱感，加上**的鐘形配置和可調(diào)射頻線圈的設(shè)計，給出了處理的晶片負(fù)載優(yōu)良均勻性的厚度和電阻率。處理室和水暖設(shè)計有已制造的*高標(biāo)準(zhǔn)，以去除金屬污染物。Rexon ® 反應(yīng)堆已被用于生長硅單晶從亞微米至厚達(dá) 250 微米。Rexon ® 并不局限于一個或兩個硅源，但同樣執(zhí)行以及對硅烷、 dichlorsilane、 三氯氫硅或硅四氯化。對于那些工廠和使用多個硅片直徑的鑄造廠，可能更改 Rexon ® 以容納任何從 2"到 200 毫米的晶圓在幾秒鐘內(nèi)。
RE DIXON  MK 系列射頻發(fā)生器
RE DIXON很高興宣布釋放的 MK 系列射頻發(fā)生器。這項開創(chuàng)性的新發(fā)電機(jī)效率有顯著增加。MK 系列發(fā)電機(jī)組相比，45*的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，保證 90*的效率與代表在工程設(shè)計中的一個飛躍。實際工廠測試得分高達(dá) 95*的效率。因為它需要更少的冷卻水，它也降低了提供冷凍的水的成本。這就是為什么所以我們的許多客戶已經(jīng)選擇用 MK 系列發(fā)電機(jī)組替換其老化西屋或支柱射頻發(fā)生器。這些強(qiáng)大的固態(tài)發(fā)電機(jī)提供 100 到 200 千瓦在 50 到 150 千赫，取代低效振蕩器管系統(tǒng)，提供的性能提升和電氣大幅減少和維修費(fèi)用。MK 系列發(fā)電機(jī)，那里是沒有需要更換管，其在舊的系統(tǒng)成本達(dá) 16,000 美元，一年更換。與減少的足跡，這些系統(tǒng)還需要珍貴的潔凈室地板空間少得多。MK 系列，以及降低了維護(hù)成本。這一技術(shù)的奇跡有零耗材。內(nèi)部組件操作只有 600 伏特 （至 15000 其他競爭模型相比），該系統(tǒng)提供了更高的可靠性，減少組件分解。這還允許為您的員工更多**的工作環(huán)境。RE 上的提前操作系統(tǒng)流量控制器的 MK 系列允許您監(jiān)視輸出，并輕松地執(zhí)行自我診斷。MK 系列發(fā)電機(jī)提供優(yōu)越的性能，為**各地的雙子和 Rexon 系統(tǒng)。德國PS控制器
轉(zhuǎn)換效率
管型射頻發(fā)生器的功率轉(zhuǎn)換效率將大約 45*的輸入功率。這種效率取決于調(diào)優(yōu)、 類型和年齡的振蕩器管。在實際安裝中的效率可能會更低。如果發(fā)電機(jī)的功率調(diào)節(jié)使用滴管管它有效率比 6 脈沖控制 45*效率低得多。MK 系列發(fā)電機(jī)效率大約是 90*。這涉及到至少 50*的功耗節(jié)省。注： MK 200 效率規(guī)格包括所有損失 (6 脈沖、 直流電源濾波器、 逆變電源模塊、 輸出匹配變壓器和tank坦克電容器）。地板空間-MK 系列發(fā)電機(jī)的足跡等于 15 平方呎，與所有負(fù)載匹配里面?，F(xiàn)有管射頻發(fā)生器的 footpring 等于 27.5 平方呎?；谵D(zhuǎn)換效率的設(shè)施水需求-前面所說，將要求您設(shè)施供水消散大約 60,000 BTU @ 200 千瓦與 MK 系列電源相比至 45 BTU @ 125 千瓦與真空管射頻發(fā)生器?；∫陨蠞摿?以來的*佳工作頻率的 MK 系列是在約 50*的大多數(shù)現(xiàn)有的真空電子管射頻發(fā)電機(jī)的輸出頻率的潛力為傳輸線路或負(fù)載線圈弧以上是少得多。該設(shè)備被設(shè)計為直接替換所有感應(yīng)加熱的外延設(shè)備。它將接受所有的常見的輸入的控制信號 （0 到 5 的馬 4 到 20 mA、 0 到 10 伏特的直流）。從雙子溫度控制器的信號保持不變。射頻輸出直接連接到目前的同軸傳輸線。（一些次要重構(gòu)的射頻線將有必要）。
 
標(biāo)準(zhǔn)的功能和規(guī)格：
RE DIXON控制電源和 EMO 按鈕開關(guān)
重置和所有其他的手動功能是通過觸摸屏顯示器。
WinPLC 控制器執(zhí)行所有系統(tǒng)的日常工作。
可以通過觸摸屏設(shè)置功率控制手動選擇所需的運(yùn)行功率級別
微處理器控制與維護(hù)訪問所有功能通過前臺的觸摸屏顯示器 （如果安裝）或局部區(qū)域網(wǎng)絡(luò)。
諧振頻率自動控制。
流量儀表監(jiān)視每個三個的冷卻回路。此外監(jiān)測冷卻劑回路和內(nèi)閣環(huán)境空氣的溫度。
非侵入性，自我診斷測試和監(jiān)視發(fā)射板、 信號和功率 CMOS 器件。所有數(shù)據(jù)都都可用的前面的液晶觸摸屏上。
內(nèi)部的匹配電路提供正確匹配在工作線圈 （50-150 千赫） 到所需的輸出頻率。
負(fù)載匹配組件，包括當(dāng)前的匹配變壓器和負(fù)載匹配電容器安裝在機(jī)箱內(nèi)。
 
RE DIXON  RE Dixon電源
標(biāo)準(zhǔn)Gemini 2 & Gemini 3 MK-150 晶體管化固態(tài)電源的功率為 150千瓦，和帶有匹配為 77 kHz 操作。單位是完全封閉和水冷卻。輸入的功率要求是 480 伏，3 階段，在 60 Hz 或 @ 50 Hz 和 177 千瓦 (在380-410 Vac
RE DIXON公司部分產(chǎn)品型號：

RE DIXON	量規(guī)	STK-9100 107GAUGE,BACK PRS 0-60"
RE DIXON	過時的	STK-9140 105OBSOLETE
RE DIXON	配件	STK-7000224 with exchange control,temp,ircon,2000 series
RE DIXON	配件	STK-7000224 no exchange control,temp,ircon,2000 series,rebui
RE DIXON	配件	STK-9050217O-RING,G2,OUTR,BP/LR
RE DIXON	配件	STK-9050216O-RING,G2,INER,BP/LR
RE DIXON	換能器真空	STK-9090607TRANSDUCER,VACUUM
RE DIXON	燈	STK-9150920LAMP,BULB,28V
RE DIXON	接觸器	STK-9151007  CONTACTOR,3PST 4OA USE WITH 9151007-1
RE DIXON	聯(lián)系器	STK-9151007-1 CONTACT,AUX,USE W/9151007,8910 CONTACT